“2018中国新材料产业高质量发展大会”在南京召开

  2018年12月20-22日，由中国材料研究学会发起，联合国家新材料产业发展专家咨询委员会，共同主办的“2018中国新材料产业发展大会”在南京召开。会议旨在服务国家新材料发展的策略，服务新材料特色产业，服务新材料创新创业。除开幕式及大会报告外，大会共设立了材料、生物医用材料、汽车新材料、纳米材料、绿色建材、高温合金等17个分会。

  第三代半导体产业技术创新战略联盟、国家半导体照明工程研发及产业联盟（CSA）受大会组委会委托承办了半导体材料分会。深圳第三代半导体研究院、北京国联万众半导体科技有限公司作为协办单位共同组织了此次分会。分论坛的主席是中国工程院屠海令院士、第三代半导体产业技术创新战略联盟理事长、国家半导体照明工程研发及产业联盟秘书长吴玲。分论坛秘书长由第三代半导体产业技术创新战略联盟秘书长于坤山担任。半导体材料分会分碳化硅技术及应用、氮化镓技术与应用两个分部。众多知名专家学者介绍了第三代半导体技术与产业的新进展，就第三代半导体发展的新动力共同进行了讨论。

  12月20日下午召开了碳化硅技术及应用分会，山东大学徐现刚教授和浙江大学盛况教授共同主持了会议。

  山东大学陈秀芳教授做了“SiC 单晶研究进展”报告，主要将讲述课题组近期在大尺寸SiC单晶生长及应用方面的成果。

  西安电子科技大学汤晓燕教授做了“SiC 功率MOSFET技术发展的新趋势分析” 报告，汤教授针对SiC功率MOSFET的应用前景，目前国内外的发展现状，国内面临的主要技术瓶颈，国内外的技术发展的新趋势以及主要的技术问题做多元化的分析。相关的技术问题包括：阈值电压的稳定性问题，高电流密度高阈值器件的折中困难，高温度高压力工作的可靠性问题等。

  中国科学院半导体研究所张峰研究员做了“宽禁带半导体SiC 器件研究进展”的报告，报告围绕第三代半导体SiC功率器件的研究，依次介绍SiC衬底和外延的研究历程和进展，然后着重介绍SiC电力电子器件，最重要的包含，MOSFET和IGBT。针对目前SiC功率器件的研究热点和最新进展，重点介绍SiC基MOSFET器件的发展过程，及其在SiC功率器件中起到的承上启下作用。最后给出SiC材料与器件发展的总结和展望。

  中物院微系统与太赫兹研究中心固态高压微系统技术研究室牵头副主任李俊焘做了“SiCGTO 脉冲功率开关研究进展”的报告，报告介绍了SiC门极关断晶闸管(GTO)器件的器件设计及脉冲电流表征。通过实验完成基于新型结终端扩展结构的GTO器件其击穿电压大于8kV，器件在25℃室温条件下测试在100A/cm2时正向压降为3.7V。通过在低电感的电容放电回路中进行脉冲放电实验获得其脉冲放电能力，在1000V条件下脉冲放电半正弦周期为1us，峰值电流可达到5kA，电流上升率为15kA/us。

  浙江大学郭清副教授做了“新型碳化硅电力电子器件探索研究”的报告。报告讨论了。国内外SiC MOSFET技术的发展状况做介绍，并重点讨论SiC超级结器件技术的发展现状和趋势。

  上海巴玛克电气技术有限公司副总经理李南坤做了“SiC-Mosfet功率模块在感应加热电源上的应用技术”报告，报告着重介绍了应用碳化硅(SiC)功率器件应用频率580kHz（100-1100kHz），采用全数字式DSPCPLD控制，逆变采用风冷结构，效率、功率因素、可靠性均超过现有IGBT和MOSFET技术。

  杨 霏 国家电网公司全球能源互联网研究院功率半导体所副总工程师兼工艺开发室主任

  国家电网公司全球能源互联网研究院功率半导体所副总工程师兼工艺开发室主任杨霏做了“电网用高压大功率SiC 器件研究进展”报告。报告针对未来电网中能源互联网急需的3.3kV及以上电压等级碳化硅电力电子器件（包括二极管、MOSFET、IGBT等）目标，提出对碳化硅衬底、外延、芯片性能、大功率封装等方面的技术需求，分析国内外在高性能单晶衬底、厚外延、芯片结构和高电压大电流封装等方面的研究进展，提出国内的研究思路和取得的成果。

  大会同期还举办了“国家优势新材料产业展”、师昌绪诞辰100周年纪念活动、颁发“第一届师昌绪新材料技术奖”。国家半导体照明工程研发及产业联盟喜获第一届“师昌绪新材料技术奖”。联盟吴玲秘书长受邀出席了大会开幕式，并在大会上做了“半导体照明新材料产业协同创新的探索与实践”的主题报告。

  在“国家优势新材料产业展”上，第三代半导体产业技术创新战略联盟、国家半导体照明工程研发及产业联盟、深圳第三代半导体研究院、北京国联万众半导体科技有限公司等单位集中展示了第三代半导体材料方面的组织、研发进展，引起了众多参会材料专家们的关注与好评。

  原文标题：共论第三代半导体发展新动力 --2018中国新材料产业高质量发展大会碳化硅技术及应用分会成功召开

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