输入一占空比为D的脉冲信号，当信号低电平时PMOS敞开，NMOS封闭，电源经过PMOS，流经电感，并对电容与负载充电，电感电流线性上升，斜率为(VIN-VO)/L。当信号为高电平时NMOS敞开，PMOS封闭，此刻电感电流线性下降，斜率为-VO/L堆集在电容上的电荷经过NMOS放电到地。

  最终输出为2.36V，根本原因在于电感上串联了一个小电阻(模仿寄生电阻)

  如图是电感电流仿真成果，能够核算得到满意之前推导的斜率表达式，此外留意电感取值不能过小，否则易呈现电流倒灌(电流小于0)，有必要留意一下的是该作业形式为CCM作业形式(接连导通作业形式)，与DCM的不同之处在于电感电流是否会降为0,CCM形式一般用于重载状况。

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