可编程晶振调整频率怎么弄呢？

  中的必需品，大范围的应用于所有的领域，存在很多问题，如晶振异常振荡频率、晶振异常振荡频率包括无频率

  过高的驱动电平可能会引起更高的振荡频率或更大的R1。如何衡量驾驶水平如果实际负载电容与规格中规定的负载电容不同，实际振荡频率可能与晶体单元的标称频率不同。这个频率差能够最终靠以下措施来调整：

  电路板上的负载电容似乎大于6pF。因此，使用8pF作为负载电容会改变指定的30MHz应时晶体振荡器单元。通过这一种改变，实际振荡频率由30MHz降低到5ppm，频率差能调节，这样一些方面都是通过你自己的需求来做选择。

  晶体单元的实际驱动电平超过其指定的最大值。重要的是，压电应时晶振单元的实际驱动水平在驱动水平规格内。过高的驱动电平可能会引起更高的振荡频率或更大的R1。请参考下面如何衡量驾驶水平：如果要降低驱动级别，能采用以下措施：

  通过改变阻尼电阻，反相放大器的输出幅度衰减，实际驱动电平变低。通过这一种变化，振荡幅度会减小。因此，最好检查振荡裕量是否超过5倍。此外，应注意别使振荡幅度过小。

  通过改变外部负载电容，由于振荡电路的高阻抗，实际驱动电平变低。在这种情况下，由于负载电容较小，应时晶振的实际振荡频率变高。因此，最好检查实际振荡频率是否在所需的频率范围内。

  晶体单元的振荡频率根据其规格中规定的负载电容进行分类。因此，如果实际负载电容与规格中规定的负载电容不同，实际振荡频率可能与晶体单元的标称频率不同。这个频率差能够最终靠以下措施来调整：

  调整外部负载电容。为了改变外部负载电容，实际振荡频率变低。如果外部负载电容较大，请注意振荡裕量会较低。外部负载电容较大时，振荡幅度可能很小。更换不同负载电容的晶振单元。为了应用负载电容大的晶胞，实际振荡频率变高。比如：需要30MHz的频率，用一个指定频率为30MHz的晶振单元作为负载电容，额定频率为6pF。确认实际振荡从30MHz低至30ppm。振荡电路可能没办法在晶体单元的标称频率附近工作，这被称为“不规则振荡”，然后依据相关的说明操作即可。

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